3D晶体管初揭秘 英特尔马宏升IDF演示原理

  2012年英特尔我国IDF信息技能峰会现场,我国区总裁马宏升为现场的听众具体的介绍3D晶体管原理和技能使用。3D晶体管技能将被使用在第三代智能酷睿处理器中,而它的很多新特性也是英特尔未来战略的关键所在。

  英特尔第三代智能酷睿处理器中将使用最新的22纳米技能和3D晶体管技能,而3D晶体管技能会直接为用户所带来不一样的体会作用,不论是在功耗仍是在集成度大将提高到一个不一样的层次。

  IDF现场马宏升用两个模型为听众演示2D晶体管技能和3D晶体管技能有哪些不同之处,从现场模型中能够清楚的看到所谓3D晶体管技能,是在其原有的2D晶体管电路上层拓荒出一条三维空间。经过一些列的杂乱作业原理,为二维空间供给别的一条可用电流通道,以此来完成更为高度的集成化规划。

  选用3D晶体管技能的第三代智能酷睿处理器将会比第二代智能CPU功能提高30%,而功耗却降低了50%。尽管仅仅官方PPT演示内容,不过从英特尔一向的慎重情绪剖析,这些演示的数据应该不会有太多收支。



上一篇:半导体工业链图谱全解! 下一篇:美国使用资料展现全新配备 七工艺合一

Copyright © 2014 米乐m6官网在线登录_米乐网页版登录入口 Kuangtong Electric(China) Co.,ltd All Rights Reserved

鄂公网安备 鄂ICP备14019055号-1